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零件图片(仅供参考)
AUIRF7341QTR
规格参数
  • 制造商产品型号:AUIRF7341QTR
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.1A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 5.1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):780pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • AUIRF7341QTR,IR(国际整流器)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AUIRF7341QTR
  • 原始制造厂商:IR(国际整流器),已被英飞凌INFINEON收购
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
  • 产品应用分类:场效应管阵列
  • 点击此处查询AUIRF7341QTR的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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