IRF9910PBF（IR 国际整流器，场效应管阵列，8-SO）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：IRF9910PBF

制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购

描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

系列：HEXFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A，12A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.4 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.55V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：900pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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基本参数：

电子零件型号：IRF9910PBF

原始制造厂商：IR（国际整流器），已被英飞凌INFINEON收购

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

产品应用分类：场效应管阵列

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