IR提供各种小信号 MOSFET。小信号产品非常适合存在空间限制的汽车和/或非汽车应用。...

IR是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。...

IR旗下的 600 V、650 V 及 800 V N 沟道功率 MOSFET 将助力打造更为紧凑且高性能的汽车应用。...

IR互补式功率 MOSFET 以高、低边配置将 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 集成至单个封装中。...

IR为符合 AEC-Q101 标准的汽车应用提供范围广泛的功率 MOSFET，包括 N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET 和双沟道 MOSFET。...

IR P 沟道功率 MOSFET 型号丰富，适合包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、车载充电器、电机控制及低压驱动应用在内的诸多工业应用。...

这个具有多种输出电压选项的现成产品系列可加快井下工具制造商的上市时间，帮助他们应对要求工作温度高达 185 oC 的具有挑战性的设计。...

全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。...

由于IR3847使用的新款热增强型封装采用铜夹技术和多项自主创新的控制器技术，所以该器件不需要散热片即可在25A下工作，其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%...