IR提供各种小信号 MOSFET。小信号产品非常适合存在空间限制的汽车和/或非汽车应用。...

IR是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。...

IR旗下的 600 V、650 V 及 800 V N 沟道功率 MOSFET 将助力打造更为紧凑且高性能的汽车应用。...

IR互补式功率 MOSFET 以高、低边配置将 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 集成至单个封装中。...

IR为符合 AEC-Q101 标准的汽车应用提供范围广泛的功率 MOSFET，包括 N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET 和双沟道 MOSFET。...

IR P 沟道功率 MOSFET 型号丰富，适合包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、车载充电器、电机控制及低压驱动应用在内的诸多工业应用。...

全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。...

由于IR3847使用的新款热增强型封装采用铜夹技术和多项自主创新的控制器技术，所以该器件不需要散热片即可在25A下工作，其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%...

英飞凌和国际整流器的产品组合具有高度互补性。国际整流器在低功耗、节能方面的专业知识 IGBT和智能功率模块, 功率 MOSFET和 数字电源管理 IC将与英飞凌的功率器件和模块产品完美集成。...