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P-通道功率MOSFET | IR 功率MOSFET

P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子,其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言,二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通,而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁,有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术,这通常可降低整体成本。

 

工业应用

 

IR P 沟道功率 MOSFET 型号丰富,适合包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、车载充电器、电机控制及低压驱动应用在内的诸多工业应用。

 

汽车应用

 

IR可提供种类齐全的汽车用 P 沟道功率 MOSFET 产品,器件已通过 AEC 认证。

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IR(国际整流器)官网发布的行业动态(2022年9月26日更新)
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