P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子，其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言，二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通，而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁，有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术，这通常可降低整体成本。

工业应用

IR P 沟道功率 MOSFET 型号丰富，适合包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、车载充电器、电机控制及低压驱动应用在内的诸多工业应用。

汽车应用

IR可提供种类齐全的汽车用 P 沟道功率 MOSFET 产品，器件已通过 AEC 认证。