IR国际整流器推出了其首款基于专有 N 沟道 R9 技术平台的抗辐射 MOSFET . 与以前的技术相比，它提供了尺寸、重量和功率的改进。这在诸如高通量卫星等系统中非常重要，在这些系统中，每比特成本比可以显着降低。100 V、35 A MOSFET 非常适合要求使用寿命长达 15 年或超过 15 年的关键任务应用。目标应用包括航天级 DC-DC 转换器、中间总线转换器、电机控制器和其他高速开关设计。

IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 由IR IR HiRel 业务部开发，具有完全的 TID（总电离剂量）抗辐射能力，分别为 100 kRads 和 300 kRads。25 mΩ（典型值）的 R DS(on)比上一代器件低 33%。结合增加的漏极电流能力（35 A 与 22 A），这使得 MOSFET 能够在开关应用中提供更高的功率密度并降低功率损耗。

MOSFET 具有改进的单粒子效应 (SEE) 抗扰度，并具有高达 90 MeV/(mg/cm2) 的线性能量转移 (LET) 的有用性能；至少比前几代产品高出 10%。这两款新器件均采用密封、轻质、表面贴装陶瓷封装 (SMD-0.5)，尺寸仅为 10.28 mm x 7.64 mm x 3.12 mm。它们也提供裸片形式。

可用性

IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 均可提供样品并已实现量产。