这个具有多种输出电压选项的现成产品系列可加快井下工具制造商的上市时间，帮助他们应对要求工作温度高达 185 oC 的具有挑战性的设计。...

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。...

英飞凌和国际整流器的产品组合具有高度互补性。国际整流器在低功耗、节能方面的专业知识 IGBT和智能功率模块, 功率 MOSFET和 数字电源管理 IC将与英飞凌的功率器件和模块产品完美集成。...

全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。...

由于IR3847使用的新款热增强型封装采用铜夹技术和多项自主创新的控制器技术，所以该器件不需要散热片即可在25A下工作，其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%...

IR国际整流器公司借助其先进的高电压技术，为D类音频应用提供高性能MOSFET和栅极驱动集成电路。

IR的直流-直流解决方案已延伸至电信网络、数据网络、网络技术，以及周边设备等各个领域的需求。

IR提供各种小信号 MOSFET。小信号产品非常适合存在空间限制的汽车和/或非汽车应用。

IR国际整流器公司最强烈的愿望是让我们的客户在他们的市场上取得成功。这就是IR为其系统创新、开发和制造最先进解决方案的原因

IR这些智能功率模块能效高，集成了新功率半导体和控制芯片技术，并运用了IR先进的IGBT、MOSFET、新一代栅极驱动 IC和新型热机械技术。