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N-通道功率MOSFET | IR 功率MOSFET

适用于低、中、高功率应用的中低压 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 以及适合多种应用的 CoolMOS™ 高压功率 MOSFET

 

12V-40V N-沟道功率 MOSFET

45V-80V N-沟道功率 MOSFET

85V-300V N-沟道功率 MOSFET

500V-950V N-沟道功率 MOSFET

 

N 沟道 MOSFET 通过电子形成电流沟道。因此在 MOSFET 被激活和导通时,电子即可通过电流轻松快速地移动。出于 N 沟道 MOSFET 的特殊性,在相同的 RDS(on) 值下,其载流子的迁移率约为 P 沟道器件的 2 到 3 倍,而 P 沟道芯片尺寸则必须为 N 沟道芯片的 2 到 3 倍。因此,大电流应用通常首选 MOSFET 晶体管 N 沟道器件。

 

IROptiMOS™ N 沟道功率 MOSFET 旨在提高效率、功率密度和成本效益。OptiMOS™ 产品专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色。

 

该产品组合现再添 StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2 N 沟道 MOSFET,品类更为齐全,更具吸引力。 StrongIRFET™  和 StrongIRFET™ 2 N 沟道功率 MOSFET 具备稳健设计和优异性价比,为 OptiMOS™ MOSFET 的卓越技术锦上添花。 两大产品系列均符合严苛的质量和性能要求。

 

CoolMOS™ N 沟道 MOSFET产品系列应用广泛,适合低功率至高功率应用。此外,汽车级超结 (SJ) MOSFET 现场可靠性高,符合汽车使用寿命的要求。IR旗下的 600 V、650 V 及 800 V N 沟道功率 MOSFET 将助力打造更为紧凑且高性能的汽车应用。

 

欲了解IR创新型 N 沟道功率 MOSFET 解决方案的更多信息,欢迎即刻探索完整产品组合!

 

IR旗下拥有多种多样的 N 沟道功率 MOSFET 产品组合。

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IR(国际整流器)官网发布的行业动态(2022年5月25日更新)
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2014年,英飞凌科技公司宣布以大约30亿美元现金收购了美国电源管理芯片制造商International Rectifier(简称IR)

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