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N 沟道耗尽型 MOSFET | IR（英飞凌INFINEON） 功率MOSFET（2026/7/2更新）

IR是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。应用领域包括电源启动功率、过电压保护、浪涌电流限制器，离线电压基准。利用单个元件可以实现简单电流调节器。所有产品均适用于 汽车电子应用。为满足特殊要求，n 沟道耗尽型 MOSFET 可在卷轴上配备 VGS(th) 指示器。

 

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2014年，英飞凌科技公司宣布以大约30亿美元现金收购了美国电源管理芯片制造商International Rectifier（简称IR）

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