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针对具体应用的不同需求，IR国际整流器公司开发了完善的分立式IGBT系列产品。较强的针对性使器件能在特定应用中处于最佳工作状态，有利于提高品质标准。IR国际整流器公司提供业界专业性最强的分立式IGBT器件，帮您实现最理想的应用性能。

 

扩展了解：N 沟道耗尽型 MOSFET | N-通道功率MOSFET | 互补式功率 MOSFET | 20V-800V汽车级MOSFET | 汽车级认证IGBT模块 | 交流-直流 |
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IR（国际整流器）官网发布的行业动态（2024年4月29日更新）
  • 更加强大！英飞凌宣布以约 30 亿美元现金收购IR国际整流器 International Rectifier
  • IR国际整流器推出三个不同的电压等级 60 V、80 V 和 100 V全新逻辑电平 IR MOSFET
  • IR国际整流器推出了其首款基于专有 N 沟道 R9 技术平台的抗辐射 MOSFET
  • IR公司宣布推出业界首款额定温度为 185 oC 的 DC-DC 转换器 HiRel HTB28
  • IR 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台
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    2014年，英飞凌科技公司宣布以大约30亿美元现金收购了美国电源管理芯片制造商International Rectifier（简称IR）

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