与硅相比，氮化镓 (GaN) 晶体管具有根本优势。特别是，与硅 MOSFET 相比，较高的临界电场使其对具有出色特定动态导通电阻和更小电容的功率半导体器件非常有吸引力，这使得 GaN HEMT 非常适合高速开关应用。然后可以在减少死区时间的情况下操作氮化镓晶体管，从而提高效率并实现被动冷却。在高开关频率下运行可以缩小无源元件的体积，从而提高 GaN HEMT 的可靠性和整体功率密度。

GaN功率晶体管最重要的特点是它的反向恢复性能。由于IR的 CoolGaN™ 晶体管没有少数载流子和体二极管，它们不会表现出反向恢复。因此，可以采用图腾柱 PFC 等硬开关拓扑来实现更高的效率，例如在数据中心和服务器电源中，以节省能源并降低 OPEX。

IR的 CoolGaN™ 是一种高效的 GaN（氮化镓）晶体管技术，用于电压范围高达 600V 的功率转换。凭借在半导体市场的丰富经验，IR的 GaN 技术通过端到端的大批量生产，使 e-mode 概念走向成熟。开创性的质量确保了最高标准，并提供了市场上所有 GaN HEMT 中最可靠和性能最好的解决方案。

使用 CoolGaN™ 的开关模式电源电路可以受益于更高的能效和更高的功率密度，这是最先进的硅器件无法实现的。在 200-250kHz 以上的高频操作中，开关速度是确定能量传输方式的关键。IR CoolGaN™ 的超快开关速度可实现非常短的死区时间。预计使用寿命超过 15 年，故障率低于 1 FIT，客户可以信赖其可靠性和质量。