IR互补式功率 MOSFET 以高、低边配置将 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 集成至单个封装中。该双 MOSFET 系列采用 OptiMOS™ 和IR MOSFET™技术，可满当下应用的较高标准与性能需求。

IR此类 MOSFET 互补对不仅能提高设计效率，亦可简化产品结构。诸如 SO8、PQFN3x3 和 TSOP-6 等紧凑型封装均可用于此类 MOSFET，进而打造出成本优化型解决方案。其目标应用包括 DC-DC 转换、电机控制、电池管理以及车载充电器。