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零件图片(仅供参考)
IRFH5302TR2PBF
规格参数
  • 制造商产品型号:IRFH5302TR2PBF
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A(Ta),100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):76nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4400pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:3.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • IRFH5302TR2PBF,IR(国际整流器)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IRFH5302TR2PBF
  • 原始制造厂商:IR(国际整流器),已被英飞凌INFINEON收购
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询IRFH5302TR2PBF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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