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BSC082N10LS G 零件图片(仅供参考)

BSC082N10LS G
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BSC082N10LS G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSC082N10LS G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  • 系列:OptiMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13.8A(Ta),100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 110A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):104nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7400pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:156W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8
  • BSC082N10LS G,IR(英飞凌INFINEON)产品一站式供应商。
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BSC082N10LS G 基本参数:

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