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BSS159N H6327 零件图片（仅供参考）

BSS159N H6327
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BSS159N H6327 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSS159N H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
  • 系列：SIPMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：230mA（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 160mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 26A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.9nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：44pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：360mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：PG-SOT23-3
  • BSS159N H6327，IR（英飞凌INFINEON）产品一站式供应商。
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BSS159N H6327 基本参数：

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