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BSZ215CHXTMA1 零件图片（仅供参考）

BSZ215CHXTMA1

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BSZ215CHXTMA1 规格参数

型号:BSZ215CHXTMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TSDSON-8
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:N 和 P 沟道互补型
FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）:20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A，3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 110A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:419pF @ 10V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TSDSON-8
BSZ215CHXTMA1，IR（英飞凌INFINEON）产品一站式供应商。

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BSZ215CHXTMA1 基本参数：

电子零件型号：BSZ215CHXTMA1
原始制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器，已被INFINEON英飞凌收购）
技术标准参数：MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
点击此处查询BSZ215CHXTMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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