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DF200R12W1H3B27BOMA1 零件图片(仅供参考)

DF200R12W1H3B27BOMA1
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DF200R12W1H3B27BOMA1 规格参数

  • 型号:DF200R12W1H3B27BOMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 1200V 30A 375W MOD
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 配置:2 个独立式
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
  • 功率 - 最大值:375 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.3V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1 mA
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):2 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
  • DF200R12W1H3B27BOMA1,IR(英飞凌INFINEON)产品一站式供应商。
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DF200R12W1H3B27BOMA1 基本参数:

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