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IMLT65R033M2HXTMA1 零件图片(仅供参考)

IMLT65R033M2HXTMA1
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IMLT65R033M2HXTMA1 规格参数

  • 型号:IMLT65R033M2HXTMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-HDSOP-16-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:SILICON CARBIDE MOSFET
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss):650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 27.9A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 5.7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值):+23V,-7V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1213 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):312W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-HDSOP-16-6
  • 封装/外壳:16-PowerSOP 模块
  • IMLT65R033M2HXTMA1,IR(英飞凌INFINEON)产品一站式供应商。
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IMLT65R033M2HXTMA1 基本参数:

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