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IPB13N03LB 零件图片（仅供参考）

IPB13N03LB
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IPB13N03LB 规格参数

  • 制造商产品型号：IPB13N03LB
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：OptiMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.5 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 20A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1355pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：52W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK（TO-263AB）
  • IPB13N03LB，IR（英飞凌INFINEON）产品一站式供应商。
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IPB13N03LB 基本参数：

  • 电子零件型号：IPB13N03LB
  • 原始制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器，已被INFINEON英飞凌收购）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询IPB13N03LB的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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