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IPB65R660CFD 零件图片（仅供参考）

IPB65R660CFD
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IPB65R660CFD 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB65R660CFD
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263
  • 系列：CoolMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：660 毫欧 @ 2.1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 200A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：615pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：62.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263
  • IPB65R660CFD，IR（英飞凌INFINEON）产品一站式供应商。
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IPB65R660CFD 基本参数：

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