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IPD35N10S3L-26 零件图片(仅供参考)

IPD35N10S3L-26
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IPD35N10S3L-26 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPD35N10S3L-26
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  • 系列:OptiMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):35A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 35A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 39A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2700pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:71W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
  • IPD35N10S3L-26,IR(英飞凌INFINEON)产品一站式供应商。
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IPD35N10S3L-26 基本参数:

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