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IPI26CNE8N G 零件图片（仅供参考）

IPI26CNE8N G

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IPI26CNE8N G 规格参数

制造商产品型号：IPI26CNE8N G
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：OptiMOS
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：85V
25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 35A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 39A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：31nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2070pF @ 40V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：71W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：PG-TO262-3
IPI26CNE8N G，IR（英飞凌INFINEON）产品一站式供应商。

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IPI26CNE8N G 基本参数：

电子零件型号：IPI26CNE8N G
原始制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器，已被INFINEON英飞凌收购）
技术标准参数：MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询IPI26CNE8N G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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