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IQD020N10NM5SCATMA1 零件图片(仅供参考)

IQD020N10NM5SCATMA1
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IQD020N10NM5SCATMA1 规格参数

  • 型号:IQD020N10NM5SCATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-WHSON-8-U02
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Ta),276A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.05 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 159A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):134 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9500 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3W(Ta),333W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-WHSON-8-U02
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • IQD020N10NM5SCATMA1,IR(英飞凌INFINEON)产品一站式供应商。
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IQD020N10NM5SCATMA1 基本参数:

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