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零件图片(仅供参考)
IRF640NSTRRPBF
规格参数
  • 制造商产品型号:IRF640NSTRRPBF
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):67nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:150W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • IRF640NSTRRPBF,IR(国际整流器)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IRF640NSTRRPBF
  • 原始制造厂商:IR(国际整流器),已被英飞凌INFINEON收购
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询IRF640NSTRRPBF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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