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SPD07N20 G 零件图片（仅供参考）

SPD07N20 G
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SPD07N20 G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：SPD07N20 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO252
  • 系列：SIPMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：40W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
  • SPD07N20 G，IR（英飞凌INFINEON）产品一站式供应商。
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SPD07N20 G 基本参数：

  • 电子零件型号：SPD07N20 G
  • 原始制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器，已被INFINEON英飞凌收购）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 200V 7A TO252
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询SPD07N20 G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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