

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。...

IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 由IR IR HiRel 业务部开发,具有完全的 TID(总电离剂量)抗辐射能力,分别为 100 kRads 和 300 kRads。...






















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2014年,英飞凌科技公司宣布以大约30亿美元现金收购了美国电源管理芯片制造商International Rectifier(简称IR)
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