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ISC0802NLSATMA1 零件图片（仅供参考）

ISC0802NLSATMA1
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ISC0802NLSATMA1 规格参数

  • 型号:ISC0802NLSATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TDSON-8-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），150A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 92A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5190 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），125W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8-7
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • ISC0802NLSATMA1，IR（英飞凌INFINEON）产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的IR供应商

ISC0802NLSATMA1 基本参数：

  • 电子零件型号：ISC0802NLSATMA1
  • 原始制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器，已被INFINEON英飞凌收购）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 点击此处查询ISC0802NLSATMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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