

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。...

由于IR3847使用的新款热增强型封装采用铜夹技术和多项自主创新的控制器技术,所以该器件不需要散热片即可在25A下工作,其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%...






















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2014年,英飞凌科技公司宣布以大约30亿美元现金收购了美国电源管理芯片制造商International Rectifier(简称IR)
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