全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。...

IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 由IR IR HiRel 业务部开发，具有完全的 TID（总电离剂量）抗辐射能力，分别为 100 kRads 和 300 kRads。...

这个具有多种输出电压选项的现成产品系列可加快井下工具制造商的上市时间，帮助他们应对要求工作温度高达 185 oC 的具有挑战性的设计。...

由于IR3847使用的新款热增强型封装采用铜夹技术和多项自主创新的控制器技术，所以该器件不需要散热片即可在25A下工作，其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%...

英飞凌和国际整流器的产品组合具有高度互补性。国际整流器在低功耗、节能方面的专业知识 IGBT和智能功率模块, 功率 MOSFET和 数字电源管理 IC将与英飞凌的功率器件和模块产品完美集成。...

国际整流器公司的MOSFET和IGBT门驱动器集成电路是在最简单的，最小的和最低成本的解决方案

IR提供各种小信号 MOSFET。小信号产品非常适合存在空间限制的汽车和/或非汽车应用。

IR旗下的 600 V、650 V 及 800 V N 沟道功率 MOSFET 将助力打造更为紧凑且高性能的汽车应用。

IR是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。

IR的直流-直流解决方案已延伸至电信网络、数据网络、网络技术，以及周边设备等各个领域的需求。