全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。...

这个具有多种输出电压选项的现成产品系列可加快井下工具制造商的上市时间，帮助他们应对要求工作温度高达 185 oC 的具有挑战性的设计。...

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。...

英飞凌和国际整流器的产品组合具有高度互补性。国际整流器在低功耗、节能方面的专业知识 IGBT和智能功率模块, 功率 MOSFET和 数字电源管理 IC将与英飞凌的功率器件和模块产品完美集成。...

IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 由IR IR HiRel 业务部开发，具有完全的 TID（总电离剂量）抗辐射能力，分别为 100 kRads 和 300 kRads。...

IR是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。

IR这些智能功率模块能效高，集成了新功率半导体和控制芯片技术，并运用了IR先进的IGBT、MOSFET、新一代栅极驱动 IC和新型热机械技术。

IR公司的变速永磁同步电机（PMSM）技术为交流电机提供了一种节能的替代方法，与交流感应电机相比，它可以节约15%以上的能量。

IR旗下的 600 V、650 V 及 800 V N 沟道功率 MOSFET 将助力打造更为紧凑且高性能的汽车应用。

借助广泛的技术组合优势，IR国际整流器公司的IGBT的设计具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，可实现超低功耗。