全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。...

英飞凌和国际整流器的产品组合具有高度互补性。国际整流器在低功耗、节能方面的专业知识 IGBT和智能功率模块, 功率 MOSFET和 数字电源管理 IC将与英飞凌的功率器件和模块产品完美集成。...

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。...

这个具有多种输出电压选项的现成产品系列可加快井下工具制造商的上市时间，帮助他们应对要求工作温度高达 185 oC 的具有挑战性的设计。...

由于IR3847使用的新款热增强型封装采用铜夹技术和多项自主创新的控制器技术，所以该器件不需要散热片即可在25A下工作，其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%...

IR作为电源管理业内领袖，以多种功率器件方案支持客户满足其设计和性能目标，以最低的转换和传输损失来提升效率、减少热能问题并增强功率密度。

国际整流器公司的MOSFET和IGBT门驱动器集成电路是在最简单的，最小的和最低成本的解决方案

借助广泛的技术组合优势，IR国际整流器公司的IGBT的设计具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，可实现超低功耗。

IR为符合 AEC-Q101 标准的汽车应用提供范围广泛的功率 MOSFET，包括 N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET 和双沟道 MOSFET。

针对具体应用的不同需求，IR国际整流器公司开发了完善的分立式IGBT系列产品。