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IR(国际整流器)官网新闻中心(2022年9月26日更新)

英飞凌和国际整流器的产品组合具有高度互补性。国际整流器在低功耗、节能方面的专业知识 IGBT和智能功率模块, 功率 MOSFET和 数字电源管理 IC将与英飞凌的功率器件和模块产品完美集成。...

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。...

IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 由IR IR HiRel 业务部开发,具有完全的 TID(总电离剂量)抗辐射能力,分别为 100 kRads 和 300 kRads。...

这个具有多种输出电压选项的现成产品系列可加快井下工具制造商的上市时间,帮助他们应对要求工作温度高达 185 oC 的具有挑战性的设计。...

全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。...

由于IR3847使用的新款热增强型封装采用铜夹技术和多项自主创新的控制器技术,所以该器件不需要散热片即可在25A下工作,其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%...

IR 热门产品类别

IR是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。

IR旗下的 600 V、650 V 及 800 V N 沟道功率 MOSFET 将助力打造更为紧凑且高性能的汽车应用。

IR互补式功率 MOSFET 以高、低边配置将 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 集成至单个封装中。

IR为符合 AEC-Q101 标准的汽车应用提供范围广泛的功率 MOSFET,包括 N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET 和双沟道 MOSFET。

IR提供汽车级认证IGBT模块及分立式器件,以支持混合动力汽车及电动汽车设计。

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    2014年,英飞凌科技公司宣布以大约30亿美元现金收购了美国电源管理芯片制造商International Rectifier(简称IR)

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