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IR 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT 技术平台采用 IR 的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过开发全新基准技术及顶尖的 IGBT 硅平台,彰显出 IR 在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频,以期更有效地使用电能及绿化环境。”

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能,有助于把 dv/dt 降到最低,从而减少电磁干扰、抑制过压,从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄,在高电流功率模块内并联起多个 IGBT 之时,可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到 175°C 的最高结温。 

潘大伟补充道:“ IR 的 Gen8 IGBT 平台旨在为工业应用提供卓越技术。该 IGBT 平台凭借高性能 Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能,使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。” 
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